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现代内存颗粒怎么样?好不好?

2020-10-26 22:19:00
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来源:转载
供稿:网友
Q:我买了一条金士顿的内存条,DDR3 4GB的内存,内存上面的颗粒怎么是现代的内存颗粒?和我机器上的另外一条金士顿不一样,另外的一条金士顿内存是尔必达的颗粒。

A:  基本上没有什么问题的,现代内存多见于品牌机里面,金士顿使用的不同的颗粒生产内存这个没什么关系,不同批次采购不同的颗粒而已,整体的设计规格是一样的。现代内存颗粒和尔必达(尔必达最近已经申请了破产保护,内存商采购颗粒肯定不止一家的哦,只要保证正品即可)内存颗粒都是非常好的内存颗粒,金士顿的内存条假货多,只要根据一些常规的防伪手段检验没问题就基本差不多了。

    现代内存颗粒的编号也是由四段字母或数字组成,具体分布请看下图。A、B四部分的含义与三星内存颗粒编号的含义相同,分别表示该内存颗粒的生产企业及生产日期。C、D部分所包含的内容主要是指内存的相关规格。接下来我们就详细分解。 
 

现代内存颗粒怎么样

 

现代内存颗粒怎么样



A部分不用多说,铁定都是Hynix的LOGO。
B部分是生产日期,由三个数字和一个字母组成,和三星内存颗粒的编号一样,第一个数字表示生产年份,后两位数字表示在该年的第XX周生产。最后的字母,由于在官方文件中没有解释,笔者也未弄明白。
C部分也是表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。根据频率、延迟参数不同,分别用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。

其中:
“D5”代表DDR500(250MHz),延迟为3-4-4;
“D43”代表DDR433(216MHz),延迟为3-3-3;
“D4”代表DDR400(200MHz),延迟为3-4-4;
“J”代表DDR333(166MHz),延迟为2.5-3-3;
“M”代表DDR266(133MHz),延迟为2-2-2;
“K”代表DDR266A(133MHz),延迟为2-3-3;
“H”代表DDR266B(133MHz),延迟为2.5-3-3;
“L”代表DDR200(100MHz),延迟为2-2-2。

补充:紧接这C部分的数字后面,实际上还有一个编号,只是这个编号一般并没有被标示出来。他用来表示内存颗粒的工作温度和应用等级。用“Bank、I、E”来表示不同的工作温度和应用等级,其中:

“Blank”代表商业型,工作温度在0 °C~70 °C之间;
“E”代表增强型,工作温度在-25°C~85 °C之间;
“I”代表工业型,工作温度在-40°C~85 °C之间。

总结:
1. HY代表着该颗粒是现代制造的产品。 
2. 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM) 
3. 处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 
4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新) 
5. 内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片) 
6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank) 
7. 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18) 
8. 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代) 
9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型) 
10. 封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm)) 
11. 封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC)) 
12. 封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素) 
13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200) 
14. 工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))

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