嵌入式面试题——ARM面试题（六）

填空题

1． Nand-Flash闪存每个块的最大擦写次数是______万次，而Nor的擦写次数是______万次。

答案：100、10

2．MTD核心层分为：______层、______层和______层。

答案：用户模块接口、MTD抽象、MTD设备驱动模块

3．Nor-Flash常用于存放______，而Nand-Flash存放______。

答案：系统代码、用户信息

4．作为高速缓存的存储器主要有______、______和______。

答案：SRAM、DRAM、Flash ROM

5．动态RAM有______和______。

答案：SDRAM、DDR

6．ARM有从外部______启动的外启动和从片上______启动的内启动两种启动方式。

答案：SDRAM、ROM

问答题

1．简述嵌入式设备中程序运行方式。

答：嵌入式设备中程序运行方式有两种：一种是将程序加载到SDRAM中运行，另一种是程序直接在其所在的ROM/Flash存储器中运行。

2．与SDRAM相比，Flash在ARM系统中的主要作用是什么？

答：Flash存储器常当作硬盘使用，而SDRAM则类似内存，Flash用于存放程序代码、常量表，以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。

3．在读写数据速度上，Nor-Flash 与Nand-Flash有什么区别？

答：Nor-Flash的读取速度比Nand-Flash快；

Nand-Flash的写入速度和擦除速度比Nor-Flash快。

4．简述SDRAM在ARM系统中的主要作用。

答：SDRAM 具有高速、大容量等优点，是一种具有同步接口的高速动态随机存储器，在ARM系统中主要用作程序的运行空间、数据及堆栈区。

5．区别ARM外启动方式和内启动方式的不同。

答：外启动方式下，ARM从外部程序存储器取指令执行；

内启动时，ARM运行片上ROM中固化的启动程序。