每100个周期发生两个总线转换时的有效数据速率和峰值数据速率通常,这些系统受益于那些能产生更高有效数据速率的内存技术的变化。在CPU方面存在类似的现象,最近几年诸如AMD和Transmeta等公司已经指出,在测量基于CPU的系统的性能时,频率频率不是唯一的要素。内存技术已经很成熟,峰值速率和有效数据速率或许并不比以前匹配的更好。尽管峰值速率依然是内存技术最重要的参数之一,但其它结构参数也可以大幅影响内存系统的性能。 QQRead.com 推出数据恢复指南教程 数据恢复指南教程 数据恢复故障解析 常用数据恢复方案 硬盘数据恢复教程 数据保护方法 数据恢复软件 专业数据恢复服务指南 影响有效数据速率的参数 有几类影响有效数据速率的参数,其一是导致数据总线进入若干周期的停止状态。在这类参数中,总线转换、行周期时间、CAS延迟以及RAS到CAS的延迟(tRCD)引发系统结构中的大部份延迟问题。 总线转换本身会在数据信道上产生非常长的停止时间。以GDDR3系统为例,该系统对内存的开放页不断写入数据。在这期间,内存系统的有效数据速率与其峰值速率相当。不过,假设100个频率周期中,内存控制器从读取转换到写入。由于这个转换需要6个频率周期,有效的数据速率下降到峰值速率的94%。在这100个频率周期中,假如内存控制器将总线从写入转换到读取的话,将会丢失更多的频率周期。这种内存技术在从写入转换到读取时需要15个空闲周期,这会将有效数据速率进一步降低到峰值速率的79%。表1显示出针几种高性能内存技术类似的运算结果。 显然,所有的内存技术并不相同。需要很多总线转换的系统设计师可以选用诸如XDR、RDRAM或者DDR2这些更高效的技术来提升性能。另一方面,假如系统能将处理事务分组成非常长的读写序列,那么总线转换对有效频宽的影响最小。不过,其它的增加延迟现象,例如库(bank)冲突会降低有效频宽,对性能产生负面影响。 DRAM技术要求库的页或行在存取之前开放。一旦开放,在一个最小周期时间,即行周期时间(tRC)结束之前,同一个库中的不同页不能开放。对内存开放库的不同页存取被称为分页遗漏,这会导致与任何tRC间隔未满足部份相关的延迟。对于还没有开放足够周期以满足tRC间隙的库而言,分页遗漏被称为库冲突。而tRC决定了库冲突延迟时间的长短,在特定的DRAM上可用的库数量直接影响库冲突产生的频率。 大多数内存技术有4个或者8个库,在数十个频率周期具有tRC值。在随机负载情况下,那些具有8个库的核心比具有4个库的核心所发生的库冲突更少。尽管tRC与库数量之间的相互影响很复杂,但是其累计影响可用多种方法量化。 内存读取事务处理 考虑三种简单的内存读取事务处理情况。第一种情况,内存控制器发出每个事务处理,该事务处理与前一个事务处理产生一个库冲突。控制器必须在打开一个页和打开后续页之间等待一个tRC时间,这样增加了与页循环相关的最大延迟时间。在这种情况下的有效数据速率很大程度上决定于I/O,并主要受限于DRAM核心电路。最大的库冲突频率将有效频宽削减到目前最高阶内存技术峰值的20%到30%。 
目前主流存储技术的存取粒度和总线频宽值 QQRead.com 推出数据恢复指南教程 数据恢复指南教程 数据恢复故障解析 常用数据恢复方案 硬盘数据恢复教程 数据保护方法 数据恢复软件 专业数据恢复服务指南 新闻热点
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