美光DDR2 SDRAM芯片编号再探

Part NumberFBGA CodeMT47H32M8FP-5E ES Z9BSJ结合美光的编码规则，就可以看出这是一款256Mb，位宽8bit（32MX8bit），时钟频率为200MHz（-5E）的DDR2-400芯片，并且为工程样品（ES）。虽然美光在相关说明中出公布了FBGA封装编号的一些说明，但经笔者研究，很难找到其中的规律，因此若想准确的得知芯片的细节参数，还是去美光的网站查询。下面再来看看生产日期与产地编码，美光给出具体而准确的解释。美光DDR2内存芯片日期与产地编码说明日期与产地编码的前两个字符代表了生产日期，第一个字符为数字，代表生产年，3代表2003年，4代表2004年，依此类推。而第二个字符代表了生产周，编码规则如下：26个字母对应26个生产周，由于是双周编号，所以26个字母正好能代表一年的周数（52个）接下就是产品内核的版本，后面的两个字符则代表了产品集散地与装地，注重它们是数字而不是字母。不要将1看成是I。美光共规定了5个地区代码，编码规则如下：

1. 美国
2. 新加坡
3. 意大利
4. 日本
5. 中国

好了，现在我们以上面举例用的图片来演练一次。可以看出，它是2003年第32周生产，内核版本为B（应该是指第二代），产品集散地与封装地均为美国。那么，对于下面这张图呢？它的生产日期是2004年第4周，内核版本为B，集散与封装地为美国。Z9BQT的编号在美光网站上的查询结果如下：
Part NumberFBGA CodeMT47H32M8FP-37E ES Z9BQT这是一枚容量为256Mbit，位宽8bit，速度为DDR2-533的芯片，为工程样品。有爱好的美光内存产品的用户，不妨自己试验一下，也希望这篇文章能对预备选购美光内存的用户提供有益的帮助。