Intel的无线NOR闪存,算是NOR阵营中的一大亮点,充分发挥了NOR自身的优势 同时,利用先进的MCP封装技术,闪存厂商可以将多个相关元件(基本上是)堆叠(Stacked)封装为一颗芯片,目前应用最多的是与掌上设备的“内存”(SRAM等)集成,将掌上设备中的存储装置收于一“芯”,进而可大幅缩小PCB的面积。 2003年4月10日,Intel发布了5层堆叠的闪存新品,这是目前销售产品中的纪录。它里面有两枚256Mbit StrataFlash芯片(采用MLC技术),两枚64Mbit PSRAM芯片(DRAM核心、SRAM接口的RAM),一枚16Mbit SRAM芯片。假如掌上设备使用这种闪存,那么基本就不用再另配高速内存了,优势一目了然。 五、 结论:漫步的是闪存而不厂商掌上设备的前景肯定是不用怀疑了,也因此,闪存有理由把它当成自移动存储后的另一个伊甸园,一切都因为闪存在掌上设备中的非凡地位——在掌上设备中,最终将以闪存为核心整合所有的存储芯片(富士通公司甚至将其与FCRAM芯片封装在一起)。 从某种角度上说,掌上设备中的闪存,在很长时间都无法替代。也就是说,它不会像SDRAM那样,能感觉到Mobile SDRAM、PSRAM、IT SRAM所带来的强大压力。FeRAM、MRAM要想取代它,也绝不是几年就可以实现的。所以闪存目前的外围环境非常稳定,它可以安心的在这一领域漫步。但哪个厂商走得最踏实就看各家的实力了。 面对着W&M的美好前景,在移动存储中已经尝到甜头的NAND型闪存,也当然想进来找到新的乐园,但若想在重视代码执行的掌上领域有所建树则要付出更多的努力,不过有了MCP的帮助,NAND厂商希望借助Shadow RAM来提高代码执行的能力(将闪存中的代码先调入同一封装中的高速内存,这有点像主板BIOS中设置Shadow RAM的作用),再配合先天性的容量优势。NAND与NOR在掌中大战也不是没有可能,NAND的巨头——三星与东芝都在进行这方面的努力。另外,以NAND为基础的存储卡近年来也越做越小,越来越被掌上设备所注重,虽然CF卡用于手机未免太夸张,但基于NAND的miniSD与SanDisk/摩托罗拉新推出的T-Flash卡(与SD兼容,见下图)已经注定要在该领域大展拳脚,相比之下,NOR就没这些“外援”了。
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